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我国成功研制重要战略半导体材料铝市供应过剩将令美国铝业前景蒙阴
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2020-4-25

  我国成功自主研制了4英寸高纯半绝缘碳化硅半导体材料为我国新一代雷达系统的研制奠定基础。
  
  近日我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底配资 面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为该成果国内领先已达到国际先进水平。

  碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率与耐高温的特性是新一代雷达系统的核心。长期以来碳化硅基微波功率器件的核心材料高纯半绝缘碳化硅衬底配资 生产、加工难度大一直是国内空白国际上只有少数国家掌握该技术并一直对我国进行技术封锁与配资 禁运。

  据了解碳化硅基微波器件作为当今世界最为理想的微波器件其功率密度是现有微波器件的10倍将成为下一代雷达技术的标准美军干扰机与“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达已开始换装碳化硅基微波器件配资 军用市场将在未来几年推动碳化硅基微波器件的快速发展。可以说研制高纯半绝缘碳化硅衬底材料是我国新一代雷达系统获得突破的核心课题之一。

  项目研发者、山东天岳公司负责人表示4英寸高纯半绝缘碳化硅半导体材料的研制成功使我国拥有了自主可控的重要战略半导体材料它将是新一代雷达、卫星通讯、通讯基站的核心并将在机载雷达系统、地面雷达系统、舰载雷达系统以及弹载雷达系统等领域实现应用。






  
    据消息行业分析师称眼下中国正全力阻止股市大跌这也将给美国铝业带来一定的焦虑。

    本周三美国铝业将发布第二季度财报而投资者将寻求铝价是否能反弹的的迹象。
    
    美国铝业文华独家的股价在年初以来已经大幅下滑30%。
    铝合金期货已经跌至每吨1,644美元年初以来已经跌11%为自2009年以来的最低水平。而铝升水也自纪录高位下滑。

    美国中西部地区的铝升水自今年2月以来已经大幅下滑了65%。







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